具有大于 8 MV/cm 击穿电场的 BaTiO3/AlGaN 横向异质结二极管
应用物理
2019-10-08 v1
摘要
在本文中，我们报道了 Pt/BaTiO3/Al0.58Ga0.42N 横向异质结二极管相比 Pt/Al0.58Ga0.42N 肖特基二极管增强的击穿特性。BaTiO3 是一种极高介电常数材料，在本研究中用作阳极下方的介电材料，以显著降低异质结二极管阳极边缘的峰值电场，从而使得对于阳极到阴极间距小于 0.2 微米的器件，观测到的平均击穿电场高于 8 MV/cm。在同一样品上制备的对照肖特基阳极器件（Pt/Al0.58Ga0.42N）在相似尺寸器件中显示平均击穿电场约为 4 MV/cm。尽管两种击穿电场都显著高于现有技术的水平（如基于 GaN 的器件），BaTiO3 可通过适当的电场管理更有效地利用超宽禁带材料中可用的更高击穿电场。因此，该演示为实现具有显著改善击穿特性的超缩放横向器件奠定了基础。
引用
@article{arxiv.1910.02303,
title = {Lateral Heterojunction BaTiO3/AlGaN Diodes with >8MV/cm Breakdown Field},
author = {Towhidur Razzak and Hareesh Chandrasekar and Kamal Hussain and Choong Hee Lee and Abdullah Mamun and Hao Xue and Zhanbo Xia and Shahadat H. Sohel and Mohammad Wahidur Rahman and Sanyam Bajaj and Caiyu Wang and Wu Lu and Asif Khan and Siddharth Rajan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.02303},
year = {2019}
}