不同 Nb 掺杂浓度下 Au/Nb:SrTiO3 肖特基界面的电输运
材料科学
2013-02-11 v1 强关联电子
摘要
我们研究了两种掺杂浓度下 Nb 掺杂 SrTiO 单晶中的电子输运。我们发现，两者的电阻率和迁移率均随温度变化，而载流子浓度几乎不随温度变化。我们使用浅施主的类氢理论对此进行了解释。此外，我们探究了 Au 与 TiO 截止面 n 型 SrTiO 之间肖特基界面的电输运。宏观 I-V 测量的定量分析表明，低掺杂衬底的输运以热电子发射为主，而高掺杂衬底则偏离了这种行为。这项工作对于设计利用氧化物半导体研究电子输运的器件具有重要意义。
引用
@article{arxiv.1302.2096,
title = {Electrical transport across Au/Nb:SrTiO3 Schottky interface with different Nb doping},
author = {K. G. Rana and V. Khikhlovskyi and T. Banerjee},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.2096},
year = {2013}
}
备注
10 Pages, 3 Figures