Nb 掺杂 SrTiO3 肖特基界面处的电场驱动忆阻行为
应用物理
2018-10-17 v1 材料科学
摘要
受人类大脑启发的计算需要一种大规模并行架构，由可改变内部状态的低功耗元件构成。SrTiO3 是一种具有丰富电子性质的复杂氧化物；此处我们将 Nb 掺杂 SrTiO3 上的肖特基接触演示为用于神经形态计算的忆阻元件。肖特基界面处的电场以模拟方式改变这些器件的电导率，这对模拟突触可塑性十分重要。我们观测到良好的功耗与耐久特性。电阻态被证明可模拟大脑的遗忘过程。我们提出一种电荷俘获模型来解释该开关行为。
引用
@article{arxiv.1807.06274,
title = {Electric Field Driven Memristive Behavior at the Schottky Interface of Nb doped SrTiO3},
author = {A. S. Goossens and A. Das and T. Banerjee},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.06274},
year = {2018}
}
备注
7 pages, accepted in JAP New physics and materials for neuromorphic computation