Mn 掺杂在 SrRuO3/Nb:SrTiO3 肖特基界面诱导的负微分电阻
强关联电子
2009-11-13 v1
摘要
我们观察到在 SrRuO3 中进行 Mn 取代后，SrRuO/Nb:SrTiO 肖特基结的电流 - 电压特性发生了强烈调制，这种取代在体材料中会诱导金属 - 绝缘体转变。结理想因子的温度依赖性表明，随着取代的进行，界面电势的空间不均匀性增加。此外，在低温下观察到了负微分电阻，表明 Mn 取代形成了共振态。通过在界面处以单晶胞控制精度空间变化 Mn 掺杂剂的位置，我们可以将该共振态的起源隔离到界面 SrRuO 层。这些结果展示了一种概念上不同的方法，即利用导电钙钛矿对杂质的高度敏感响应来控制界面态。
引用
@article{arxiv.0803.2792,
title = {Negative Differential Resistance Induced by Mn Substitution at SrRuO3/Nb:SrTiO3 Schottky Interfaces},
author = {Y. Hikita and L. Fitting Kourkoutis and T. Susaki and D. A. Muller and H. Takagi and H. Y. Hwang},
journal= {arXiv preprint arXiv:0803.2792},
year = {2009}
}