CoPt/MgZnO界面处铁电驱动阻变与肖特基势垒调控用于非易失性存储器
材料科学
2024-11-22 v3
摘要
铁电忆阻器作为一种用于神经形态计算、图像识别和信息存储的非易失性阻变存储器受到了广泛关注。其阻变机制已在钙钛矿及复杂材料体系中多次被研究，并被解释为通过极化对肖特基势垒的调控来调制载流子输运。本文中，我们利用简单的二元半导体实验报道了跨越CoPt/MgZnO肖特基势垒的等温阻变。晶体与织构性质显示出高质量的单晶CoPt/MgZnO异质结。阻变通过电场冷却方法检测，显示出MgZnO的铁电T接近体相值。跨越CoPt/MgZnO肖特基势垒的阻变伴随着26.5 meV的肖特基势垒高度变化，这是由于界面电荷增加和/或轨道杂化诱导的MgZnO极化反转所致。反转极化的量级估计为合理值：在300 K（2 K）时为3.0（8.25） C/cm。这些发现证明了CoPt/MgZnO界面作为铁电忆阻器潜在候选者的效用，并可推广用于探测其他六方铁电材料的阻变。
引用
@article{arxiv.2305.16563,
title = {Ferroelectricity driven-resistive switching and Schottky barrier modulation at CoPt/MgZnO interface for non-volatile memories},
author = {Mohamed Belmoubarik and Muftah Al-Mahdawi and George Machado and Tomohiro Nozaki and Cláudia Coelho and Masashi Sahashi and Weng Kung Peng},
journal= {arXiv preprint arXiv:2305.16563},
year = {2024}
}