反歪方/歪方异质界面诱导绝缘态
材料科学
2025-04-21 v1
摘要
异质界面在揭示卓越的界面特性并实现多功能材料平台方面发挥了关键作用。尽管对所有氧化物界面进行了广泛的研究，但不同材料类别（如氧化物和氮化物）之间的异质界面仍鲜有探索。本文报道了高品质狄克金属反歪方 Ni3InN 的制备情况，其电阻温度系数约为 1.8×10^-8 Ω·cm/K，覆盖宽广的温度范围。Ni3InN 与 SrVO3 之间构建了原子尖锐的异质界面，揭示了引人注目的界面现象。通过层分辨扫描透射电子显微镜和能量损失谱，我们在有序界面上识别出显著的电荷转移。值得注意的是，Ni3InN 向 SrVO3 之间的界面电子转移可诱导绝缘界面层，并在 Ni3InN 层中产生涌现磁矩，这与第一性原理计算结果一致。这些发现为通过实现氮化物/氧化物体系中的可调节界面特性， paving the way for novel electronic and spintronic applications，开辟了新型电子和自旋电子学应用的途径。
引用
@article{arxiv.2504.13401,
title = {Charge transfer induced insulating state at antiperovskite/perovskite heterointerfaces},
author = {Ting Cui and Ying Zhou and Qianying Wang and Dongke Rong and Haitao Hong and Axin Xie and Jun-Jie Zhang and Qinghua Zhang and Can Wang and Chen Ge and Lin Gu and Shanmin Wang and Kuijuan Jin and Shuai Dong and Er-Jia Guo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2504.13401},
year = {2025}
}
备注
15 pages; 4 figures