Scifaro

中文

电荷载流子注入绝缘介质：单粒子方法与平均场方法

材料科学 2010-03-11 v3

作者: Yu. A. Genenko , S. V. Yampolskii , C. Melzer , K. Stegmaier , H. von Seggern

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗ DOI ↗

摘要

对电荷注入介电介质的自洽平均场描述进行了修正，以考虑电荷载流子的离散性。改进方案既包含由单个镜像电荷引起的肖特基势垒降低，也包含由注入电极中场穿透引起的势垒变化，从而确保模型在高注入率和低注入率下均有效，包括势垒主导和空间电荷主导的机制。将该理论与单极ITO/PPV/Au器件的实验结果进行了比较。

关键词

电荷注入介电介质肖特基势垒镜像电荷空间电荷限制电流平均场理论

引用

@article{arxiv.0910.4127,
  title  = {Charge carrier injection into insulating media: single-particle versus mean-field approach},
  author = {Yu. A. Genenko and S. V. Yampolskii and C. Melzer and K. Stegmaier and H. von Seggern},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0910.4127},
  year   = {2010}
}

备注

32 pages, 9 figures; revised version accepted to PRB