关于本征单载流子器件中的注入问题

通过考虑单载流子器件的界面载流子密度随注入势垒高度的变化，并将其与具有欧姆接触器件的平衡本底载流子密度进行比较，我们计算出这些势垒预期会限制注入、从而显著影响器件中空间电荷限制电流的简单条件。我们表明，这些条件取决于器件温度、半导体相对介电常数和有效态密度，但最重要的是取决于所探测半导体薄膜的厚度。这与先前关于缺陷影响单载流子器件的观测及类似推导表达式一致。本文描述的条件可用于辅助设计不受注入限制的空间电荷限制电流测量用单载流子器件。