反向偏置石墨烯/半导体肖特基结中的载流子输运
材料科学
2015-05-20 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
反向偏置的石墨烯(Gr)/半导体肖特基二极管表现出大大增强的气体传感灵敏度。然而，穿过结的载流子输运尚未完全理解。本文通过温度依赖的电流-电压测量研究了反向偏置下的 Gr/SiC、Gr/GaAs 和 Gr/Si 肖特基结。观察到所有结的势垒高度随反向偏置增加而降低，表明电场增强的热电子发射。对反向电流场依赖性的进一步分析表明，虽然 Gr/SiC 肖特基结中的载流子输运遵循 Poole-Frenkel 机制，但在 Gr/Si 和 Gr/GaAs 结中它偏离了 Poole-Frenkel 和肖特基机制，特别是在低温和低场下。
引用
@article{arxiv.1503.08738,
title = {Carrier transport in reverse-biased graphene/semiconductor Schottky junctions},
author = {D. Tomer and S. Rajput and L. J. Hudy and C. H. Li and L. Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.08738},
year = {2015}
}
备注
15 pages, 4 figures, and 1 table