重掺杂磷注入 4H-SiC 上的 Ni Schottky 势垒
材料科学
2021-08-25 v3 应用物理
摘要
研究了形成于重掺杂（ND>10^19 cm^-3）n 型磷注入碳化硅（4H-SiC）上的 Ni Schottky 势垒的电学行为，重点考察其在正向与反向偏压下的电流输运机制。Schottky 二极管的 forward 电流-电压表征显示，主导电流输运为热场发射机制。另一方面，反向偏压特性无法由单一机制描述。事实上，在中等反向偏压下，注入诱导损伤导致漏电流随温度上升而增加，而随着偏压增大则趋近于纯场发射机制。讨论了金属/4H-SiC 接触在重掺杂层上于实际器件中的潜在应用。
引用
@article{arxiv.2102.08927,
title = {Ni Schottky barrier on heavily doped phosphorous implanted 4H-SiC},
author = {Marilena Vivona and Giuseppe Greco and Monia Spera and Patrick Fiorenza and Filippo Giannazzo and Antonino La Magna and Fabrizio Roccaforte},
journal= {arXiv preprint arXiv:2102.08927},
year = {2021}
}