n型4H-SiC肖特基势垒二极管中与硼相关的缺陷
材料科学
2023-05-10 v1
摘要
我们报道了通过少数载流子瞬态谱(MCTS)研究的低掺杂n型(氮掺杂)4H-SiC半透明肖特基势垒二极管(SBDs)中与硼相关的缺陷。在化学气相沉积(CVD)晶体生长过程中引入了未知浓度的硼。发现硼的掺入导致出现至少两种与硼相关的深能级缺陷,即浅硼(B)和深硼(D中心),其浓度高达2×10^15 cm^-3。尽管硼浓度超过氮掺杂浓度近一个数量级,n型4H-SiC SBDs的稳态电学特性并未退化。
引用
@article{arxiv.2303.09810,
title = {Boron-related defects in n-type 4H-SiC Schottky barrier diodes},
author = {Tihomir Knežević and Eva Jelavić and Yuichi Yamazaki and Takeshi Ohshima and Takahiro Makino and Ivana Capan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2303.09810},
year = {2023}
}