600V/20A 4H-SiC 肖特基势垒二极管的制备
材料科学
2015-06-18 v1
摘要
制备了 600V/20A 4H-SiC 肖特基势垒二极管 (SBD)，以研究关键工艺步骤（特别是在形成肖特基接触前后）对 SBD 电性能和长期可靠性的影响。结果表明，经过 470oC 氢气氛围退火 10 分钟并在离子激活后立即进行牺牲层处理的 4H-SiC SBD，在 20A 额定电流下表现出低正向压降 (VF)、高达 800V 的更高阻断电压以及仅为 17.5ns 的极短反向恢复时间。尽管处于严苛的反向偏置条件和温度下，长期可靠性测试显示正向压降和反向漏电流 (IR) 的变化分别为 0.7% 和 8.9%，且阻断电压有所增强。这归因于老化引起的钝化层与 SiC 之间界面的稳定化。
引用
@article{arxiv.1402.6414,
title = {Fabrication of a 600V/20A 4H-SiC Schottky Barrier Diode},
author = {In-Ho Kang and Sang-Cheol Kim and Jung-Hyeon Moon and Wook Bahng and Nam-Kyun Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:1402.6414},
year = {2015}
}
备注
14 pages, 1 table, and 5 figures