新型高压4H-SiC横向双侧壁肖特基(LDSS)整流器：理论探究与分析
介观与纳米尺度物理
2010-08-24 v1
摘要
本文报道了一种在重掺杂漂移层上制备的新型4H-SiC横向双侧重壁肖特基(LDSS)整流器，其结构由位于低势垒肖特基接触上方的势垒侧壁肖特基接触组成。通过二维器件仿真，将该器件的性能与兼容的4H-SiC横向常规肖特基(LCS)和横向沟槽侧壁肖特基(LTSS)整流器的特性进行了详细比较。仿真结果表明，所提出的LDSS整流器在正向偏置条件下表现为低势垒LTSS整流器，在反向偏置条件下表现为高势垒LTSS整流器，因此是一种理想的整流器。对于外延层掺杂浓度为1×10^17 /cm^3的情况，LDSS整流器在1 V / -500 V下的开关电流比为5.5×10^7。此外，尽管结构中仅使用了肖特基结，但所提出的LDSS结构表现出与PiN二极管非常相似的陡峭击穿特性。我们分析了LDSS性能提升的原因。
引用
@article{arxiv.1008.3603,
title = {A New High Voltage 4H-SiC Lateral Dual Sidewall Schottky (LDSS) Rectifier: Theoretical Investigation and Analysis},
author = {M. Jagadesh Kumar and C. Linga Reddy},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.3603},
year = {2010}
}
备注
http://web.iitd.ac.in/~mamidala/