屏蔽欧姆接触（ShOC）整流器：一种具有优异正向和反向特性的新型金属-半导体器件
介观与纳米尺度物理
2010-08-24 v1
摘要
我们报告了一种称为屏蔽欧姆接触（ShOC）整流器的新结构，它利用填充有高势垒金属的沟槽在反向偏置期间屏蔽欧姆接触。当器件正向偏置时，欧姆接触以低正向压降导通。然而，当反向偏置时，欧姆接触被高势垒肖特基接触完全屏蔽，导致低反向漏电流。使用二维数值模拟来评估和解释所提出的ShOC整流器的优越性能。
引用
@article{arxiv.1008.3600,
title = {Shielded Ohmic Contact (ShOC) Rectifier: A New Metal-Semiconductor Device with Excellent Forward and Reverse Characteristics},
author = {M. Jagadesh Kumar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.3600},
year = {2010}
}
备注
http://web.iitd.ac.in/~mamidala/