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用于改善整流器性能的绝缘体上硅横向双侧壁肖特基(SOI-LDSS)概念：二维模拟研究

材料科学 2010-08-19 v1

作者: M. Jagadesh Kumar , C. Linga Reddy

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摘要

在本文中，我们证明了使用横向双侧壁肖特基(LDSS)概念可以显著提高绝缘体上硅(SOI)肖特基整流器的性能。基于数值模拟的结果表明，SOI上的LDSS结构具有低正向压降和低反向漏电流，同时其击穿电压显著高于传统肖特基整流器。

关键词

绝缘体上硅肖特基整流器横向双侧壁击穿电压正向压降反向漏电流

引用

@article{arxiv.1008.3029,
  title  = {Silicon-On-Insulator Lateral Dual Sidewall Schottky (SOI-LDSS) Concept for Improved Rectifier Performance: A Two-Dimensional Simulation Study},
  author = {M. Jagadesh Kumar and C. Linga Reddy},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1008.3029},
  year   = {2010}
}

备注

http://web.iitd.ac.in/~mamidala/