基于非晶态硅的高非线性可靠背靠背肖特基二极管作为大规模RRAM阵列的选择器器件
介观与纳米尺度物理
2016-05-11 v1
摘要
本工作中，我们展示了与硅工艺兼容、稳定可靠(次循环)、半读电压下高非线性比()、高速()、低工作电压()的背靠背肖特基二极管。通过数值模拟、实验和电流-电压方程，研究了电极材料选择、半导体层厚度和掺杂浓度，以给出当背靠背肖特基二极管用作阻变随机存取存储器(RRAM)阵列的选择器器件时的一般设计考量。
引用
@article{arxiv.1605.02757,
title = {Highly Non-linear and Reliable Amorphous Silicon Based Back-to-Back Schottky Diode as Selector Device for Large Scale RRAM Arrays},
author = {Cheng-Chih Hsieh and Yao-Feng Chang and Ying-Chen Chen and Heng-Lu Chang and Davood Shahrjerdi and Sanjay. K. Banerjee},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.02757},
year = {2016}
}