基于钙钛矿氧化物的对称RRAM器件中表观对称性破缺的研究
强关联电子
2015-06-25 v1 材料科学
摘要
提出并分析了一种基于钙钛矿氧化物薄膜材料（特别是Pr1-xCaxMnO3 (PCMO)）的对称两端非易失性RRAM器件的新模型。该模型由两个完全相同的半部分组成，每个半部分均由相同的电阻-脉冲电压滞回线完全表征，并将两者串联连接。尽管建模器件在电流方向上物理对称，但研究发现，施加足够幅度和不同极性的电压脉冲时，其电阻会发生开关行为。器件宇称守恒的表观破缺归因于开关过程中电极附近活性材料层电阻的变化。因此，开关行为具有历史依赖性，这一特性对于构建真正的非易失性存储器件非常有用。基于所提出的模型，制备了一种文献中此前未见报道的实际对称器件（基于PCMO材料体系）。对该新器件电阻的测量生成了与模型计算滞回线吻合良好的实验滞回曲线，从而证实了新对称模型所预测的特征。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0510059,
title = {A Study of Apparent Symmetry Breakdown in Perovskite Oxide-based Symmetric RRAM Devices},
author = {X. Chen and J. Strozier and N. J. Wu and A. Ignatiev and Y. B. Nian},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0510059},
year = {2015}
}
备注
13 pages, 4 figures