忆阻器件中电阻、电容与虚拟电感效应的共存

本文研究了忆阻器件中电阻、电容和惯性（虚拟电感）效应的共存，重点关注 ReRAM 器件，特别是界面型或非丝状模拟开关器件。我们使用一个受物理启发的紧凑模型来有效捕捉基于 NbO$_{\rm x}$ 和 BiFeO$_{3}$ 的忆阻器件中控制电阻开关的底层机制。该模型包含了金属-绝缘体-金属结构中的不同电容成分以模拟电容效应。粒子的漂移和扩散被建模，并与系统内粒子的惯性相关联。利用该模型，我们获得了两种器件的 I-V 特性，与实验结果吻合良好，并得到了相应的 C-V 特性。该模型还复现了在钙钛矿基器件中观察到的非零交叉回滞现象。此外，本研究还考察了器件的电抗如何随器件面积和长度的变化而改变。