基于六方石墨烯介电材料的 memristive 器件可变性建模
介观与纳米尺度物理
2024-11-22 v1
摘要
深入研究了基于 h-BN 介电材料的 memristive 器件可变性。描述了不同数值提取方法用于提取复位电压，并通过变异系数刻画对应的循环到循环可变性。采用电荷-通量领域开发了一种提取技术，通过计算电流和电压的积分来获得电荷和通量，从而最小化电气噪声和电阻性开关内在随机性对测量数据的影响。成功应用了再现电荷-通量曲线的模型。器件的可变性也通过时间序列分析来评估沿电阻性开关系列的记忆效应。最后，我们分析了在斜坡电压应力下的 I-V 曲线，利用基于电路开关的仿真器来研究构成导电纳米丝束的 percolation 路径的形成和破裂，以描述电阻性开关操作背后的 set 和 reset processes。
引用
@article{arxiv.2411.13872,
title = {Modeling the variability of memristive devices with hexagonal boron nitride as dielectric},
author = {Juan B. Roldan and David Maldonado and C. Aguilera-Pedregosa and F. J. Alonso and Yiping Xiao and Yaqing Shen and Wenwen Zheng and Yue Yuan and Mario Lanza},
journal= {arXiv preprint arXiv:2411.13872},
year = {2024}
}