射频六方氮化硼开关的静态与小信号建模
应用物理
2023-04-25 v1
摘要
本文提出了一种基于六方氮化硼(hBN)——一种二维(2D)介电材料——的射频(RF)开关总体性能的初步建模近似。采用hBN制备的RF 2D开关的I-V特性、本征与非本征阻抗参数、回波损耗、插入损耗与隔离度,在此通过等效电路模型加以描述。得到了简洁的解析表达式。与传统开关不同,hBN开关在导通态下独特的射频性能,即插入损耗随频率直接改善,通过在本征部分引入一个电容得以精确描述。该电容被认为与阻变机制中存储的电荷有关。采用本文方法,回波损耗建模与测量之间的最高平均相对误差为7.6%,优于先前因本征器件描述不完整而误差达42.5%的模型。
引用
@article{arxiv.2304.12106,
title = {Static and small-signal modeling of radiofrequency hexagonal boron nitride switches},
author = {Anibal Pacheco-Sanchez and Omar Jordán-García and Eloy Ramŕez-García and David Jiménez},
journal= {arXiv preprint arXiv:2304.12106},
year = {2023}
}