硅碳氮化物中氮空位之间的非辐射能量传递
材料科学
2025-12-04 v1 介观与纳米尺度物理
量子物理
摘要
硅碳氮化物(hBN)中的硼空位()已成为一种能够在原子尺度 proximity 下运行的二维量子传感器的有前景平台。然而，导致薄 hBN 传感层与吸收性材料接触时光致发射淬灭的机制仍鲜为人知。在本文中，我们调查了 中心与单层石墨或2D 半导体之间的非辐射 F"orster 共振能量传递(FRET)。我们惊讶地发现，厚于3 nm的 hBN 传感层的 FRET 速率几乎为零，凸显了 中心在 van der Waals 异质结构中集成到超薄量子传感器中的潜力。此外，我们实验提取了 缺陷的固有辐射衰减速率。
引用
@article{arxiv.2512.03970,
title = {Non-radiative energy transfer between boron vacancies in hexagonal boron nitride and other 2D materials},
author = {Fraunié Jules and Mikhail M. Glazov and Sébastien Roux and Abraao Cefas Torres-Dias and Cora Crunteanu-Stanescu and Tom Fournier and Maryam S. Dehaghani and Tristan Clua-Provost and Delphine Lagarde and Laurent Lombez and Xavier Marie and Benjamin Lassagne and Thomas Poirier and James H. Edgar and Vincent Jacques and Cedric Robert},
journal= {arXiv preprint arXiv:2512.03970},
year = {2025}
}