单极阻变忆阻器中复位转变的半经验建模
新兴技术
2017-02-07 v1
摘要
我们测量了基于 Ni/HfO2/Si-n+ 结构的阻变忆阻器从高阻态到低阻态的转变过程，即复位过程，并建立了其电学特性的解析模型。当特征曲线绘制在电流-电压 (I-V) 域时，观察到高度变异性。尽管如此，当相同曲线绘制在电荷-磁通 (Q-f) 域时，它们可以用仅含三个参数的简单模型描述：复位点的电荷 (Qrst) 与磁通 (frst)，以及关联复位转变前电荷与磁通的指数 n。这三个参数可轻易从 Q-f 图中提取。这三个参数间存在强相关性，其起源仍在研究中。
引用
@article{arxiv.1702.01533,
title = {Semiempirical Modeling of Reset Transitions in Unipolar Resistive-Switching Based Memristors},
author = {Rodrigo Picos and Juan Bautista Roldan and Mohamed Moner Al Chawa and Pedro Garcia-Fernandez and Francisco Jimenez-Molinos and Eugeni Garcia-Moreno},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.01533},
year = {2017}
}