基于超统计方法的忆阻器电流-电压响应建模
介观与纳米尺度物理
2023-02-17 v2 应用物理
摘要
由于其极小的空间占用和低功耗，忆阻器有望成为模拟计算复兴的主要基石。由于其结构与工作机制的本质，忆阻器的响应固有地与器件中的局部变异性相关联。当前采用的半导体制造工艺放大了这一特性，其在构成忆阻器各层的织物中引入了空间不均匀性。本工作中，我们基于超统计（superstatistics）框架提出了一种新颖的q形变忆阻器电流-电压模型，该模型在考虑局部变异性的同时可描述系统级响应。将其应用于基于Ag-Cu的突触存储单元，我们证明该模型比当前所用模型的误差低4-14%。此外，我们展示了所得q参数如何用于对忆阻器内部构成做出判断，从而提供对空间不均匀性和质量控制的洞察。
引用
@article{arxiv.2206.03471,
title = {A superstatistics approach to the modelling of memristor current-voltage responses},
author = {Roland Konlechner and Anis Allagui and Vladimir N. Antonov and Dmitry Yudin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.03471},
year = {2023}
}
备注
11 pages, 6 figures, appendix