忆阻桥整流电路低频下的正弦分析
材料科学
2013-02-19 v2 新兴技术
摘要
基于其动态行为，忆阻器在模拟电路设计中催生了诸多新应用。自某些实物实现被报道（例如2007年 Hewlett Packard 的实现）以来，忆阻器应用的开发日益受到关注。尽管大多数研究集中在忆阻器于神经网络和存储器件中的应用方向，但探讨模拟忆阻电路实际应用的文献相对较少。然而该主题同样具有进一步应用的广阔前景。因此，本文提出一种依赖于频率的整流忆阻桥，用于不同目的（例如作为脉冲时间依赖可塑性(Spike-Time-Dependent-Plasticity)的可编程突触膜电压发生器），并描述了其电路理论。在此背景下，本文表明 Picard 迭代是解析求解忆阻电路非线性状态方程组的一种可行方法。文中还给出了忆阻器在网络中一般工作原理的直观图景，并在此背景下对 HP 忆阻器的动态行为进行了研究。
引用
@article{arxiv.1208.3620,
title = {Sinusoidal analysis of memristor bridge circuit-rectifier for low frequencies},
author = {Oliver Pabst and Torsten Schmidt},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.3620},
year = {2013}
}
备注
6 pages, 14 figures; A new paper reference is included. It is cited and described shortly at top of section V