具有可控量化电导态的 TiN/Ti/HfO$_x$/TiN 纳米层状忆阻器的动态行为与训练效应：对量子与神经形态计算器件的启示
介观与纳米尺度物理
2021-09-29 v1
摘要
通过脉冲模式复位程序，并辅以对置位程序条件的解析判别（涉及对测得偏置电压的临界监测），以极高精度实现了 TiN/Ti/HfO/TiN 忆阻器可控的量化电导态。在运行过程中还观察到一种引人注目的训练效应，其导致态的切换更快。在不同顺从电流下对低阻态和高阻态的详细分析，揭示了 HfO 层中导电细丝结构演化与动态行为的完整图景。本研究对忆阻器中纳米尺度原子构型的量子级操控进行了更深入的审视，有助于积累关于未来基于忆阻器的量子器件与神经形态计算器件设计和制造的基本认识。
引用
@article{arxiv.2109.10783,
title = {Dynamic Behaviors and Training Effects in TiN/Ti/HfO$_x$/TiN Nanolayered Memristors with Controllable Quantized Conductance States: Implications for Quantum and Neuromorphic Computing Devices},
author = {Min-Hsuan Peng and Ching-Yang Pan and Hao-Xuan Zheng and Ting-Chang Chang and Pei-hsun Jiang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.10783},
year = {2021}
}
备注
Accepted by ACS Applied Nano Materials