扩散型忆阻器滞回与人工神经元放电的温度调控
材料科学
2022-02-14 v1 应用物理
摘要
忆阻器件是面向高能效神经形态计算与未来人工智能系统的极具前景的元件。对于扩散型忆阻器，器件状态的切换源于介电基质中 Ag 纳米颗粒的漂移与扩散导致器件端子间导电柱的依次形成与消失。该过程由施加于器件接触端的电压所控制。本文通过实验与理论证明，改变温度可实现对忆阻器状态及器件内电荷输运的有效调控。我们发现，在恒定外加电压下忆阻电路产生电流尖峰时，通过升高与降低器件温度，可复位忆阻器状态，并改变忆阻器在高阻态与低阻态停留的残余时间。我们的理论模型与实验定性吻合良好，并有助于解释所报道的效应。
引用
@article{arxiv.2202.05571,
title = {Temperature control of diffusive memristor hysteresis and artificial neuron spiking},
author = {D. P Pattnaik and Y. Ushakov and Z. Zhou and P. Borisov and M. D Cropper and U. W. Wijayantha and A. G. Balanov and S. E Savel'ev},
journal= {arXiv preprint arXiv:2202.05571},
year = {2022}
}