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基于延迟条件的阻性漂移仿射建模

新兴技术 2024-08-06 v1 信号处理

摘要

阻性器件的建模是开发新型存储计算系统的关键组成部分。需要建立模型,以实现对阻性器件特性的准确且高效的仿真,以用于测试器件性能或其在未来类神经和存储计算架构中的可行性。阻性器件偏离初始状态的特性——尤其是在室温下且无激励电压的情况下——的考察,至关重要,这决定了其作为信息存储介质的可靠性——这一属性对于传统存储和类神经应用都至关重要。本文我们探讨使用生成式建模方法来仿真阻性器件的延迟和初始阻力条件化漂移分布。我们引入一种数据归一化方案和一种新颖的训练技术,使生成式模型能够处理连续输入。我们提出的生成式建模方法适用于端到端训练和器件建模场景,包括学习数据存储应用,due to its simulation efficiency and differentiability。

关键词

引用

@article{arxiv.2408.01539,
  title  = {Delay Conditioned Generative Modelling of Resistive Drift in Memristors},
  author = {Waleed El-Geresy and Christos Papavassiliou and Deniz Gündüz},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2408.01539},
  year   = {2024}
}

备注

22 pages, 12 figures