基于钨钼的 HfO2-x 神经形态记忆体
应用物理
2025-12-29 v2
摘要
本研究报告了制作和表征 Ta/HfO2-x/Mo 记忆体的过程。对 Ta/HfO2-x/Mo 记忆体的突触行为进行了研究。使用脉冲激光沉积(PLD)方法生长 HfO2-x(15 nm)。电极采用溅射系统和光刻方法制作。通过 X射线光电子能谱(XPS)确定金属氧化物的化学计量。通过 I-V 测量显示夹带状滞回曲线，确认 SET 和 RESET 状态。支持 I-V 测量的导电机制分析表明，在重复读取期间显示出高阻和低阻状态之间的明确分离。通过长期增强/抑制和偶发-脉冲增强，确认了该设备的神经形态特征。这些结果表明，Ta/HfO2-x/Mo 是电阻性开关器件研究和神经形态应用的有前景的配置。
引用
@article{arxiv.2410.13888,
title = {HfO2-x Neuromorphic Memristor Based on Tantalum and Molybdenum Electrodes},
author = {Kerem Karatas and Bunyamin Ozkal and Abdullah H. Cosar and Sinan Kazan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2410.13888},
year = {2025}
}