非晶相变纳米线材料中的极低漂移
材料科学
2010-04-13 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
相变存储器（PCM）器件中电阻和阈值电压的时间相关漂移会导致数据丢失，因此备受关注。非晶硫族化物中的电学漂移被认为源于电子机制或应力弛豫机制。在此我们表明，与薄膜器件相比，具有暴露表面的非晶化Ge2Sb2Te5纳米线的漂移极低。然而，嵌入介电薄膜下的受力纳米线的漂移则与薄膜相当。我们的结果表明，PCM中的漂移归因于应力弛豫，这将有助于理解和控制PCM器件中的漂移。
引用
@article{arxiv.1004.1695,
title = {Extremely Low Drift in Amorphous Phase Change Nanowire Materials},
author = {Mukut Mitra and Yeonwoong Jung and Daniel S. Gianola and Ritesh Agarwal},
journal= {arXiv preprint arXiv:1004.1695},
year = {2010}
}