低温下熔融淬火 Ge2Sb2Te5 相变存储线单元的电阻漂移
应用物理
2024-01-11 v1
摘要
我们通过对 20 nm 厚、~70-100 nm 宽的横向 Ge2Sb2Te5（GST）线单元进行测量，表征了相变存储器件在 80 K 至 300 K 温度范围内的电阻漂移。使用脉宽 ~50-100 ns、幅度 1.5-2.5 V 的脉冲对单元进行非晶化，产生 ~0.4-1.1 mA 的峰值复位电流，导致非晶化长度在 ~50 至 700 nm 之间。非晶化单元的电阻漂移系数通过恒定电压测量计算得出，测量最快在非晶化后一秒内开始，持续 1 小时。漂移系数在 ~0.02 至 0.1 范围内，具有显著的器件间差异和测量期间的变化。在较低温度（较高电阻状态）下，一些器件表现出复杂的动态行为，电阻在秒级周期内反复显著增加和减小。
引用
@article{arxiv.2401.04909,
title = {Resistance Drift in Melt-Quenched Ge2Sb2Te5 Phase Change Memory Line Cells at Cryogenic Temperatures},
author = {A B M Hasan Talukder and Md Tashfiq Bin Kashem and Raihan Khan and Faruk Dirisaglik and Ali Gokirmak and Helena Silva},
journal= {arXiv preprint arXiv:2401.04909},
year = {2024}
}