采用石墨烯带电极的纳米尺度相变存储器
介观与纳米尺度物理
2015-10-28 v1 材料科学
摘要
众所周知，相变存储器（PCM）器件的功耗会随着其电极的位体积和接触面积的缩小而降低。本文展示了两种具有横向石墨烯带电极的低功耗PCM器件：一种是将石墨烯图案化为窄纳米带，另一种是将相变材料图案化为纳米带。锐利的石墨烯“边缘”接触实现了低至约3 V的阈值电压切换、低编程电流（SET <1 A，RESET <10 A）以及大于100的通断比。利用化学气相沉积生长的石墨烯进行大规模制备，也使得研究此类纳米材料与器件的异质集成及变异性成为可能。
引用
@article{arxiv.1508.05109,
title = {Nanoscale Phase Change Memory with Graphene Ribbon Electrodes},
author = {Ashkan Behnam and Feng Xiong and Andrea Cappelli and Ning C. Wang and Enrique A. Carrion and Sungduk Hong and Yuan Dai and Austin S. Lyons and Edmond K. Chow and Enrico Piccinini and Carlo Jacoboni and Eric Pop},
journal= {arXiv preprint arXiv:1508.05109},
year = {2015}
}
备注
submitted to Applied Physics Letters