基于 GeSbTe 电沉积的交叉阵列相变存储器
材料科学
2021-08-04 v2
摘要
相变存储器（PCM）是一种新兴的非易失性存储器，在数据存储市场已展现出强劲的存在感。该技术近来在存内计算和神经形态计算等非冯·诺依曼计算架构的开发中引起了显著的研究兴趣。这些领域的研究主要受到相变材料的可扩展性潜力及其与工业纳米加工工艺兼容性的推动。在这项工作中，我们展示了通过 GeSbTe（GST）电沉积开发交叉阵列相变存储器。我们表明，GST 可使用可扩展工艺在微加工 TiN 交叉阵列中电沉积。我们对电沉积材料的相变测试表明，可实现 2-3 个数量级的 SET/RESET 电阻比，开关耐久度约为 80 次循环。这些结果代表了微加工交叉阵列中电沉积 GeSbTe 的首次相变开关。我们的工作为开发涉及电沉积材料用于无源选择器和相变开关器件的大型存储器阵列铺平了道路。它也为利用电沉积材料开发各种不同电子器件开辟了机会。
引用
@article{arxiv.2104.02340,
title = {Phase Change Memory by GeSbTe Electrodeposition in Crossbar Arrays},
author = {Yasir J Noori and Lingcong Meng and Ayoub H. Jaafar and Wenjian Zhang and Gabriela P. Kissling and Yisong Han and Nema Abdelazim and Kath Leblanc and Nikolay Zhelev and Ruomeng Huang and Richard Beanland and David C. Smith and Gill Reid and Kees de Groot and Philip N. Bartlett},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.02340},
year = {2021}
}
备注
9 pages, 5 figures