利用相变材料的光子非易失性存储器
光学
2015-06-11 v1
摘要
我们提出了一种全光子、非易失性存储和处理元件，其基于沉积在纳米光子波导上的相变薄膜。利用部分覆盖有 Ge2Sb2Te5 (GST) 的光子微环谐振器，可在集成光子电路中实现多级存储操作。GST 在从非晶态转变为晶态时提供剧烈的折射率变化，这一特性被利用来可逆地控制微腔的消光比和共振波长，并通过额外的门控端口实现，类似于光晶体管。我们的分析表明，该系统对 GST 内部的结晶度具有极高的灵敏度，从而为非冯·诺依曼神经形态计算奠定了基础。
引用
@article{arxiv.1208.1417,
title = {Photonic non-volatile memories using phase change materials},
author = {Wolfram Pernice and Harish Bhaskaran},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.1417},
year = {2015}
}