具有单单元超 4 比特能力的非易失性硅光子存储器
光学
2019-04-30 v1 应用物理
摘要
我们首次展示了一种使用硅绝缘体上的 GeSbTe-225 的集成光子相变存储器，并演示了采用单一编程脉冲的可靠多级操作。我们还将硅上的结果与先前氮化硅上的演示进行了比较。关键的是，在硅上实现这一点使得未来传统电子学与光子存储器更紧密集成成为可能，使相变光子存储器成为一种可行且可集成的技术。
引用
@article{arxiv.1904.12740,
title = {Non-volatile silicon photonic memory with more than 4-bit per cell capability},
author = {Xuan Li and Nathan Youngblood and C. David Wright and Wolfram H. P. Pernice and Harish Bhaskaran},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.12740},
year = {2019}
}