基于电可编程嵌入式III-V/Si忆阻器的节能光子存储器：开关与滤波器
光学
2023-07-04 v1 新兴技术
应用物理
摘要
我们通过将多层 忆阻器嵌入III-V/Si光子学中，展示了非易失性光学功能。晶圆键合的III-V/Si忆阻器为马赫-曾德尔干涉仪（MZI）和（解）交织滤波器等各类器件提供了非易失性光学功能。该MZI光学忆阻器在真正的“设置即遗忘”操作中展现出 ) 的非易失性光学相移，消光比约30 dB，同时电功耗为0。我们展示了6个非易失态，每个态支持4 Gbps调制。III-V/Si（解）交织器同样展现出具有完整置位/复位态的忆阻性非易失通带变换。对所有器件进行了时长测试，表明非易失性至少维持24小时且很可能更久。据我们所知，我们首次展示了具有最大电场驱动相移的非易失性III-V/Si光学忆阻器，以及具有最低功耗的可重构滤波器。
引用
@article{arxiv.2307.00429,
title = {Energy-Efficient Photonic Memory Based on Electrically Programmable Embedded III-V/Si Memristors: Switches and Filters},
author = {Stanley Cheung and Bassem Tossoun and Yuan Yuan and Yiwei Peng and Yingtao Hu and Geza Kurczveil and Di Liang and Raymond G. Beausoleil},
journal= {arXiv preprint arXiv:2307.00429},
year = {2023}
}
备注
arXiv admin note: substantial text overlap with arXiv:2305.17578