基于相变材料的微型多级光学忆阻开关
光学
2019-05-09 v1 应用物理
摘要
光学忆阻开关是电激活的光开关，能够记忆当前状态。它们可用作光锁存开关，其开关状态仅通过施加电写/擦脉冲来改变，并在无外部供电下保持。我们展示了一种基于硅 MMI 结构、顶部覆盖纳米尺度 Ge2Sb2Te5 (GST) 材料的光学忆阻开关。GST 的相变由 GST 下方硅层在电脉冲下的电阻加热触发。实验结果表明，光透射率可以可控且可重复的方式调节，最大透射对比度超过 20 dB。通过控制电脉冲的宽度与幅值，可获得 GST 的部分晶化。关键的是，我们还证明了通过精确控制电脉冲，可实现向任意中间电平以及从任意中间电平的擦除与写入操作。我们的工作朝着实现无静态功耗的光子忆阻开关迈出了重要一步，这类开关在高密度大规模集成光子学中需求迫切。
引用
@article{arxiv.1905.03163,
title = {Miniature Multi-Level Optical Memristive Switch Using Phase Change Material},
author = {Hanyu Zhang and Linjie Zhou and Liangjun Lu and Jian Xu and Ningning Wang and Hao Hu and B. M. A. Rahman and Zhiping Zhou and Jianping Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.03163},
year = {2019}
}
备注
18 page, 5 figure