硫属化物合金记忆材料中原子排列的超快光操控
材料科学
2011-01-13 v2 光学
摘要
一类在非晶态到晶态相变时表现出显著光学性质变化的硫属化物合金材料，推动了现代光存储中大数据容量的发展。在硫属化物相变材料中，Ge2Sb2Te5 (GST) 因其可靠性而得到最广泛的应用。我们使用一对飞秒光脉冲，展示了GST超晶格中原子排列从四面体（非晶态）到八面体（晶态）Ge配位的超快光操控。取决于第二个泵浦脉冲的参数，在与GeTe4局部振动相对应的相干运动的仅仅几个周期（~ 1 ps）内，发生了超快非热相变。在硫属化物合金存储器中使用这种超快开关，可能会在超越当前一代硅基闪存的存储器件中引发重大的范式转变。
引用
@article{arxiv.1012.1408,
title = {Ultrafast optical manipulation of atomic arrangements in chalcogenide alloy memory materials},
author = {Kotaro Makino and Junji Tominaga and Muneaki Hase},
journal= {arXiv preprint arXiv:1012.1408},
year = {2011}
}
备注
11 pages, 7 figures, accepted for publication in Optics Express