纳米尺度 GeTe/Sb$_2$Te$_3$ 超晶格的带间表征与电子输运控制
介观与纳米尺度物理
2016-08-03 v1 材料科学
摘要
相变材料中晶态到非晶态转变的非凡电子和光学性质促成了存储应用的重要发展。将此类相变结构纳米化提供了一个有前景的前景。遵循这一研究路线，我们研究了纳米尺度 GeTe/SbTe 硫系超晶格薄膜的带间光学透射谱。针对具有不同堆叠顺序和生长方法的薄膜，我们确定了自由电子的密度和散射时间，以及价带到导带跃迁的特征。发现对于子层厚度低于 3 nm 的情况，自由电子密度随 GeTe 含量的增加而降低。简单的能带模型分析表明，GeTe 和 SbTe 层混合，形成了标准的 GeSbTe 合金缓冲层。我们展示了通过适当选择沉积层厚度来控制薄膜电子输运性质的可能性，并推导了任意薄膜堆叠的模型。
引用
@article{arxiv.1605.08871,
title = {Interband characterization and electronic transport control of nanoscaled GeTe/Sb$_2$Te$_3$ superlattices},
author = {Antonio Caretta and Barbara Casarin and Paola Di Pietro and Andrea Perucchi and Stefano Lupi and Valeria Bragaglia and Raffaella Calarco and Felix Rolf Lutz Lange and Matthias Wuttig and Fulvio Parmigiani and Marco Malvestuto},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.08871},
year = {2016}
}