超晶格相变存储器中的能带通滤波
介观与纳米尺度物理
2020-06-30 v1
摘要
我们提出利用抗反射异质结构的思路实现能带通滤波，作为降低基于GeTe和SbTe异质结构的超晶格相变存储器能耗的一种手段。采用非平衡格林函数方法研究了不同构型的GeTe/SbTe超晶格。我们的电子输运模拟计算出高阻共价态的耦合参数达到稳定低阻共振态的，保持了100的ON/OFF比以实现可靠的读取操作。通过考察超晶格结构的多种构型，我们得出结论：在超晶格两侧加入抗反射单元使整体ON/OFF比提高一个数量级，可进一步有助于存储器件的微缩化。还观察到，带有此类抗反射单元的器件比最常见的PCM超晶格构型RESET电压低32，在存在弹性退相干时低27。此外，我们还发现这些器件中的ON/OFF比对超晶格周期性的变化也具有鲁棒性。
引用
@article{arxiv.1902.10551,
title = {Energy bandpass filtering in superlattice phase change memories},
author = {Jyotsna Bahl and Pankaj Priyadarshi and Bhaskaran Muralidharan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.10551},
year = {2020}
}