内部反偏 p-n 结：相变超晶格高电阻的可能起源
材料科学
2022-02-21 v1
摘要
相变超晶格是用于超低功耗相变存储器的新兴材料技术之一。然而，相变超晶格的电阻开关机制仍存激烈争议。早期的电学测量与近期的材料表征表明，Kooi 相极可能为制得的低电阻态。由于原子分辨率原位表征的困难，电切换后处于高电阻态的超晶格结构仍未知，且主要通过理论建模研究。迄今尚无简单模型能统一来自器件级电学测量与原子级材料表征的实验结果。本工作中，我们对相变超晶格器件进行原子尺度输运建模，并提出解释其高电阻的简单机制。所建高电阻态基于界面相变超晶格，其此前被误认为低电阻态。本工作增进了对面向新兴存储器应用的相变超晶格的理解。
引用
@article{arxiv.2109.06376,
title = {Internal reverse-biased p-n junctions: a possible origin of the high resistance in phase change superlattice},
author = {Bowen Li and Longlong Xu and Yuzheng Guo and Huanglong Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.06376},
year = {2022}
}