异质结构中原子级界面展宽诱导的局域化能态
材料科学
2026-04-01 v1 光学
摘要
推导了一个包含原子级界面细节的理论框架，以纳入埋藏界面的电子结构，并描述在有限界面展宽存在下异质结构中电荷载流子的行为。将该模型应用于超薄异质外延 (SiGe)m/(Si)m 超晶格，预测了由亚纳米展宽诱导的能带结构中的局域化能级的存在，这为空穴-电子复合提供了额外路径。这些预测的界面电子跃迁及相关的吸收效应在可变超晶格厚度与周期性下得到了实验证实。通过映射临界点的能量，确定了 2 至 2.5 eV 之间的光学跃迁，从而将光学吸收扩展到更低能量。该现象实现了对异质结构中原子级展宽的一种直接且非破坏性的探测。
引用
@article{arxiv.2203.14419,
title = {Localized Energy States Induced by Atomic-Level Interfacial Broadening in Heterostructures},
author = {Anis Attiaoui and Gabriel Fettu and Samik Mukherjee and Matthias Bauer and Oussama Moutanabbir},
journal= {arXiv preprint arXiv:2203.14419},
year = {2026}
}
备注
6 pages, 4 figures with a Supporting Material file