超窄层异质结构中的电子态

本文从理论上研究了由超窄层（单层或几个单原子层厚度）构成的异质结构中的低能电子态。主体材料在有效质量近似下描述，超窄层的影响则在转移矩阵方法的框架内考虑。利用电流守恒要求和超窄层的反演对称性，转移矩阵通过两个唯象参数写出。局域态的结合能、单超窄层情况下的反射（透射）系数以及超晶格的能谱均由这些参数决定。由于电子从局域态光激发到微带而引起的超晶格吸收光谱依赖性，强烈依赖于超窄层的特性。这种依赖性可用于验证转移矩阵参数。