不同异质结构中多量子势垒电子隧穿的能量和有效质量依赖性
介观与纳米尺度物理
2010-02-10 v1 广义相对论与量子宇宙学
数学物理
math.MP
量子物理
摘要
在统一的转移矩阵方法框架内，研究了电子在异质结构势垒中的隧穿。针对近年来日益重要的几对半导体材料，包括CdS/CdSe、AlGaAs/GaAs和InAs/AlSb，研究了势垒宽度对电子透射系数的影响。为观察尺寸缩放对隧穿特性的影响，势垒尺寸从20nm减小到5nm。重点突出了电子能量从低于势垒高度到高于势垒高度变化时的材料依赖性。势垒和阱内的电子有效质量通常不同。结果表明，耦合效应对透射效应产生了显著变化。绘制了有效质量依赖的透射系数随电子能量的变化曲线。计算基于MATLAB的转移矩阵方法。
引用
@article{arxiv.1002.1931,
title = {Energy and Effective Mass Dependence of Electron Tunnelling Through Multiple Quantum barriers in Different Heterostructures},
author = {Jatindranath Gain and Madhumita Das Sarkar and Sudakshina Kundu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1002.1931},
year = {2010}
}
备注
8 pages,9 figures