电子载流子如何穿越 Si 键合烷基单层？
材料科学
2009-11-11 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们表征了通过 Si-C 键合烷基链（夹于 n-Si 和 Hg 之间）的电子输运，其包含两种不同类型的势垒，每种类型在不同的电压范围内占主导。 在低电压下，电流强烈依赖于温度但不依赖于分子长度，表明输运通过 Si 内的势垒进行热电子发射。 在较高电压下，电流随分子长度指数衰减，表明通过分子进行隧穿。从输运和光电子发射数据估计，隧穿势垒约为 1.5 eV，有效质量为 0.25 meV。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0509640,
title = {How do electronic carriers cross Si-bound alkyl monolayers?},
author = {Adi Salomon and Olga Girshevitz and David Cahen and Till Bocking and Calvin K. Chan and Fabrice Amy and Antoine Kahn},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0509640},
year = {2009}
}
备注
13 pages, 3 figures