通过硅键合烷基单分子层的1/f隧道电流噪声
介观与纳米尺度物理
2010-03-09 v1
摘要
我们报道了有机单分子层隧道结的低频隧道电流噪声特性。所测量的器件，即n-Si/烷基链(C18H37)/Al结，表现出清晰的1/f^y功率谱噪声，其中1< y <1.2。我们观察到归一化电流噪声功率谱(SI/I^2)存在轻微的偏压依赖性背景。然而，在特定偏压范围内（主要当V > 0.4 V时），也观察到局部增加，其幅度因器件而异。我们将此效应归因于能量依赖的陷阱诱导隧道电流。我们发现背景噪声SI与(∂I/∂V)^2成比例。我们提出了一个模型，该模型与我们的实验数据定性吻合。
引用
@article{arxiv.1003.1373,
title = {1/f Tunnel Current Noise through Si-bound Alkyl Monolayers},
author = {Nicolas Clément and Stéphane Pleutin and Oliver Seitz and Stéphane Lenfant and Dominique Vuillaume},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.1373},
year = {2010}
}