超导体-常压金属隧道界面次隙噪声
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v2 超导电性
摘要
人们已明确，常压金属-绝缘体-超导体（NIS）隧道结的次隙导电性会受电子波因杂质散射干涉的影响。在本文中，我们研究了相同现象对低频电流噪声 S 的影响，当电压 V 和温度 T 远小于超导能隙时。如果常压金属处于平衡状态，我们发现即使存在非线性 I-V 特性，简单关系 S(V,T) = 4e coth(eV/T) I(V,T) 也普遍成立。只有当常压金属处于非平衡状态时，噪声与电流才会彼此独立。此时，其比值——费子因子——取决于器件布局的具体细节。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0303165,
title = {Subgap noise of a superconductor-normal-metal tunnel interface},
author = {F. Pistolesi and G. Bignon and F. W. J. Hekking},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0303165},
year = {2009}
}
备注
8 pages, 4 figures. To be published in Physical Review B