基于 DFT 计算的短周期 ZnSe/ZnTe 超晶格电子结构

M. Caid; Y. Rached; D. Rached; O. Cheref; H. Rached; S. Benalia; M. Merabet

doi:10.5488/CMP.25.13701

基于 DFT 计算的短周期 ZnSe/ZnTe 超晶格电子结构

材料科学 2022-03-29 v1

作者: M. Caid , Y. Rached , D. Rached , O. Cheref , H. Rached , S. Benalia , M. Merabet

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摘要

在本研究中，我们讨论了单层数 $n$ 的变化对超晶格 (SLs) (ZnSe) $_n$ /(ZnTe) $_n$ 电子和光学性质的影响。总能量采用全势线性 muffin-tin 轨道 (FP-LMTO) 方法计算，交换关联能采用局域密度近似 (LDA) 处理。首先，计算表明体模量导数和电子带隙随单层数 $n$ 的增加而减小。其次，研究了高达 $15$ eV 的辐射能量、介电函数 $\varepsilon(\omega)$ 、折射率 $n(\omega)$ 和反射率 $R(\omega)$ 。这些计算可能有助于理解短周期超晶格 (ZnSe) $_n$ /(ZnTe) $_n$ 的性质。

关键词

硒化锌碲化锌超晶格密度泛函理论电子结构光学性质全势线性 muffin-tin 轨道

引用

@article{arxiv.2203.14108,
  title  = {Electronic structure of short-period ZnSe/ZnTe superlattices based on DFT calculations},
  author = {M. Caid and Y. Rached and D. Rached and O. Cheref and H. Rached and S. Benalia and M. Merabet},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2203.14108},
  year   = {2022}
}

备注

10 pages, 7 figures, 5 tables

基于 DFT 计算的短周期 ZnSe/ZnTe 超晶格电子结构

摘要

关键词

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