Sn 和 Ge 掺杂 ZnTe 的缺陷特性：对中间带太阳能电池的适用性
材料科学
2017-11-15 v2
摘要
我们在 DFT+ 框架下通过第一性原理计算研究了 Sn 和 Ge 掺杂 ZnTe 的电子结构和缺陷特性。我们发现 和 分别在 ZnTe 的带隙深处引入了源自 Sn-5s 和 Ge-4s 态的孤立能级。此外，在富 Zn 和富 Te 环境中，Sn 和 Ge 掺入 Zn 位点在 p 型 ZnTe 中更为有利。通过求解 Bethe-Salpeter 方程获得的光吸收光谱表明，由于中间带的形成，带隙下吸收显著增强。我们的结果表明，Sn 和 Ge 掺杂的 ZnTe 将是开发中间带太阳能电池的合适材料，这种电池具有突破单结极限的效率潜力。
引用
@article{arxiv.1709.03277,
title = {Defect properties of Sn- and Ge-doped ZnTe: Suitability for intermediate-band solar cells},
author = {Mauricio A. Flores},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.03277},
year = {2017}
}