缓冲层对 CdS/CdTe 太阳能电池电子性质的影响
材料科学
2016-01-15 v2
摘要
我们研究了 ZnO(ZnS, SnSe)/CdS/CdTe 太阳能电池中受缓冲层影响的 CdTe 缺陷态密度的修正。与使用 ZnO 缓冲层的太阳能电池相比，采用 ZnSe 和 ZnS 导致净电离受主浓度降低，且主导深陷阱能级向 CdTe 带隙中央发生能量偏移。结果清楚表明，同一缺陷导致了 CdTe 中低效掺杂和复合中心的形成。这一观察可通过考虑应变对多晶 CdTe 晶界界面态电子性质的影响来解释。在应变条件下，氯与晶界点缺陷的相互作用可能改变。
引用
@article{arxiv.1511.08421,
title = {Electronic Properties of CdS/CdTe Solar Cells as Influenced by a Buffer Layer},
author = {Y. G. Fedorenko and J. D. Major and A. Pressman and L. Phillips and K. Durose},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.08421},
year = {2016}
}
备注
This article gives an overview of results presented at 2015 MRS Fall Meeting