CdS/CdTe太阳能电池中缓冲层导致的CdTe吸收层电子态修饰
材料科学
2015-10-30 v2
摘要
通过交流导纳谱方法，测定了基于ZnO、ZnSe和ZnS缓冲层的薄膜太阳能电池结构中CdTe的缺陷态能量分布。结合Mott-Schottky分析，结果揭示了受缓冲层选择影响的缺陷态密度和未补偿受主浓度的强烈改变。在ZnSe和ZnS上形成的太阳能电池中，观察到费米能级和主要深陷阱能级的能量位置向CdTe的中隙移动，表明中隙态可能充当复合中心并影响太阳能电池的开路电压和填充因子。对于更深能级态，观察到展宽参数增加，表明微观尺度上电荷的涨落。此类变化可归因于多晶CdTe中的晶界应变以及晶界界面态捕获电荷的修饰。
引用
@article{arxiv.1506.03068,
title = {Modification of electron states in CdTe absorber due to a buffer layer in CdS/CdTe solar cells},
author = {Y. G. Fedorenko and J. D. Major and A. Pressman and L. J. Phillips and K. Durose},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.03068},
year = {2015}
}